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GM8287开源硬件电源树:

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发表于 2014-12-11 17:36:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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GM8287开源硬件电源树:
大家可以根据器件的功耗,选择自己输出的DCDC芯片。
dianyuanshu.png

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发表于 2015-1-16 15:04:09 | 显示全部楼层
整理了一下GM8287的电源pin,发现数据手册写的不清楚。
附件(GM8287_电源.png)中高亮出来的就是我没找到的。

除此之外,也不了解GM8287有没有电源控制IO。例如在AM335x中,CPU会通过1.8V的RTC来供电,然后,经过n个时钟后,AM335X再控制一个特定IO来启动DC/DC。GM8287似乎没找到。

至于上电时序,是不是: 1.0V ==> 1.5V (DDR) ==> 3.3V (IO, Analog) ==> 1.2V (HDMI) ?

对了,我整理的芯片功耗列表也在附件中(自己准备的文档格式,所以,加了1块钱限制 )。
GM8287_电源.png

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 楼主| 发表于 2014-12-11 17:57:19 | 显示全部楼层
可以想想主流的DCDC使用,以及延伸出去,DCDC芯片使用的要点,注意事项,layout规范等等。

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发表于 2014-12-12 22:18:25 | 显示全部楼层
2片DDR电流也只有350mA?

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从3V3看进去的电流,是这样的。不过设计电流按1.5倍去做。  详情 回复 发表于 2014-12-13 09:19 PM

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 楼主| 发表于 2014-12-13 21:19:45 | 显示全部楼层
yuegel 发表于 2014-12-12 22:18
2片DDR电流也只有350mA?

从3V3看进去的电流,是这样的。不过设计电流按1.5倍去做。

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我开不了原理图,请问用的是什么芯片? 如果是350mA,使用LDO的话有点热。最好从2.xV下降到1.55V。 对于GM8287,不知道有没有上电顺序的要求。怎么拿到下载密码啊?  详情 回复 发表于 2015-1-7 10:42 AM
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发表于 2014-12-28 20:11:53 | 显示全部楼层
怪不得 平板什么的  很费电

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嗯,幸好目前芯片的工艺基本上有大的提升,不然都用风扇。  详情 回复 发表于 2014-12-28 10:49 PM

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 楼主| 发表于 2014-12-28 22:49:59 | 显示全部楼层
pale_snow 发表于 2014-12-28 20:11
怪不得 平板什么的  很费电

嗯,幸好目前芯片的工艺基本上有大的提升,不然都用风扇。
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发表于 2015-1-6 17:22:22 | 显示全部楼层
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发表于 2015-1-7 10:42:33 | 显示全部楼层
易阳 发表于 2014-12-13 21:19
从3V3看进去的电流,是这样的。不过设计电流按1.5倍去做。

我开不了原理图,请问用的是什么芯片?
如果是350mA,使用LDO的话有点热。最好从2.xV下降到1.55V。

对于GM8287,不知道有没有上电顺序的要求。怎么拿到下载密码啊?

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发表于 2015-1-7 12:17:58 | 显示全部楼层
刚才安装了Viewer,打开了。

看了一下,DDR3应该是"K4B2G1646B-HCK0-1600"。
还不确定GM8287 支持DDR3的最高频率,如果使用1600MHz,一颗DDR3的IDD7电流会超过300mA,两个DDR3的话,电流就更高了(这只是typical 电流,温度升高,电流会更大)。

以前在Altera StratixIV FPGA中用过8GB SO-DIMM DDR3 with ECC,当时使用了TI的LDO,不过,前段电压只比1.5V高一点。
现在的项目使用了DDR2,不过,使用了TI自己的PMIC来提供电压。

回到现在这个DDR3,我的感觉是:
1) 1600MHz的速度太高了,GM8287是否支持?
2)考虑电源树种加入DCDC变压到1.8V,再从1.8V用LDO下降到1.5V
3) 这颗DDR3的额定电压是1.5V +/- 0.075V,我觉着使用1.5V会更稳一点吧。
4)在电源树中,最好加入DCDC的效率,通常我喜欢用80%,尤其是12V转1.0V,这个效率应该有点低。

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1)GM8287目前标称支持1.3G速率。 2)一般使用3.3V转1.5V的LDO可以满足要求(如果在乎温度问题,你说的建议比较有效,或者直接在LDO前端 加肖特基二极管降点电压)。目前LDO至少可以支持1A的电流输出。 3)  详情 回复 发表于 2015-1-7 01:28 PM

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 楼主| 发表于 2015-1-7 13:28:47 | 显示全部楼层
silentsnow 发表于 2015-1-7 12:17
刚才安装了Viewer,打开了。

看了一下,DDR3应该是"K4B2G1646B-HCK0-1600"。

1)GM8287目前标称支持1.3G速率。
2)一般使用3.3V转1.5V的LDO可以满足要求(如果在乎温度问题,你说的建议比较有效,或者直接在LDO前端
      加肖特基二极管降点电压)。目前LDO至少可以支持1A的电流输出。
3)从1.5V提升到1.55V,可以让差分眼开口变大。不过会多点功耗,这都问题不大。
4)DCDC效率,通常都是按照芯片本身的规格曲线做描述(不同电压输入到不同电压输出,效率不同)。具体  
    选用一款芯片的时候,再完全标出。目前12V转1.0V的建议使用MP1484。
5)上电时序是1.0V先于1.5V,然后3V3电压在最后。T大于0即可。
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