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射频电路设计实录第四章,ADS仿真

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发表于 2014-12-24 09:08:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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2014-11-20  Alex                                                                 射频电路设计实录(RF Design Record,简称RDR)是无线时代网站推出的系列射频技术文章,记录了一款产品的完整设计过程。本文是其中的第四章,ADS仿真。
4. ADS仿真
从本章开始,将进入本产品设计的核心阶段。
4.1 PCB板材的选择
4.1.1 需要考虑的因素
也许很多读者还不知道的是,PCB板材的选择是ADS仿真的第一步。理由如下:
  • 不同于小功率射频电路设计,本产品具有较大的输出功率,LDMOS需要吸收较大的电流,所以需要使用较宽的馈线为LDMOS馈电,这就要求50欧姆射频走线具有较宽的线宽;
  • LDMOS往往需要使用微带器件进行匹配设计,这就要求PCB板材的介电常数十分稳定,均匀,这就要求我们选用专用的射频板材;
  • 所选用的板材应该具有合适的机械强度;
  • 所选用的射频板材应该便于生产,PCB制板厂不会因为板材问题而耽误生产进度。
4.1.2 常用的射频PCB板材
常用的射频板材厂商及其型号如表4-1所示。
表4-1 常用的射频板材厂商及其型号
Taconic
型号频率介电常数损耗因子型号频率介电常数损耗因子
HT1.510GHz2.35±0.050.0025射频-351.9GHz3.5±0.10.0025
TLE-9510GHz2.95±0.050.0028射频-301.9GHz3.0±0.10.0014
TLX-910GHz2.50±0.040.0019TLY-510GHz2.20±0.020.0009
TP-3210GHz3.20±0.10.0022TSM-3010GHz3.0±0.050.0015
TLT-91MHZ2.50±0.050.0006TLC-3210GHz3.20±0.050.03
Rogers
型号频率介电常数损耗因子型号频率介电常数损耗因子
R0435010GHz3.48±0.050.004R0400310GHz3.38±0.050.0027
R0440310GHz3.17±0.050.005R0300310GHz3.00±0.040.0013
R0320310GHz3.02±0.040.0016RT588010GHz2.20±0.020.0009
RT587010GHz2.33±0.020.0012ULT200010GHz2.60±0.040.0022
RT600210GHz2.94±0.040.0012TMM310GHz3.27±0.0320.002
R0423310GHz3.33±0.050.0026FLEX300010GHz2.9±0.040.002
Arlon
型号频率介电常数损耗因子型号频率介电常数损耗因子
DiC1ad52710GHz2.60 ± 0.040.0022DiC1ad87010GHz2.33±0.020.0013
DiC1ad88010GHz2.20 ± 0.020.0009IsoC1ad 93310GHz2.33±0.040.0016
IsoC1ad91710GHz2.20±0.040.0013AD 25010GHz2.50.0018
AD 27010GHz2.70.003AD 30010GHz30.003
AD 32010GHz3.20.003AD 35010GHz3.50.0018
25N10GHz3.38±0.060.002525FR10GHz3.58±0.060.0035
Getek
型号频率介电常数损耗因子型号频率介电常数损耗因子
RF300B108010GHz3.80.0074RF300B231310GHz3.90.0074
RF300B762810GHz4.10.0074DS300B762810GHz4.20.0074
ML200H108010GHz3.30.009ML200K108010GHz3.40.01
ML200K211610GHz3.50.01RG200K108010GHz30.003
AD 32010GHz3.20.003AD 35010GHz3.80.009
RF300H108010GHz3.30.006DS300H211610GHz3.40.006
Parknelco
型号频率介电常数损耗因子型号频率介电常数损耗因子
N4000-1210GHz3.60.008N4000-12SI10GHz3.20.006
N500010GHz3.60.014N7000-110GHz3.80.016
N7000-2HT10GHz3.50.015N800010GHz3.50.011
NY900010GHz2.330.0011NX900010GHz3.20.0024
NH900010GHz3.50.003N900010GHz3.50.0055
4.1.3 PCB板材的确定
相信很多读者对于罗杰斯板材都有所耳闻,本人也是如此,与PCB制板厂联系之后,得知RO4003C与RO4350B都是常备型号。其中RO4003C与RO4350B又分别有几种不同的规格,如图4-1。
图4-1 RO4000系列PCB机械特性
根据前文的讨论,本产品使用2层板足以完成全部设计,因此RO4003C的0.813mm板材是比较合适的,0.8mm的板厚强度还是可以的。值得一提的是,罗杰斯官方网站有一款叫做MWI的免费软件,里面已经内置了Rogers公司的全部板材参数,读者可自行前往Rogers官方网站下载,也可以在本站下载。
使用MWI计算RO4003C 0.8mm板厚特征阻抗方法如图4-2所示,可以看到,当特征阻抗控制为50欧姆时,走线宽度为71mil,完全可以满足LDMOS的馈电要求。
图4-2 使用MWI计算特征阻抗
4.2 LDMOS末级输出放大器设计与仿真
这部分的仿真是本章的核心内容。
4.2.1 获取LDMOS仿真模型
如前所述,本产品使用Freescale的MRF8S26060H作为末级输出器件,读者可以自行前往Freescale的官方网站获取仿真模型,获取仿真模型的链接如下,点击MRF8S26060H_MDL_ADS后面的“Download”按钮进行下载。
http://www.freescale.com/webapp/sps/site/prod_summary.jsp?code=MRF8S26060H&fpsp=1&tab=Design_Tools_Tab
需要注意的是,仅下载这个模型还不够,实际仿真时还需要使用另外的一个Model Kit叫做RF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT,读者可以点击上述链接中RF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT后面的“Download”按钮进行下载。
4.2.2 导入LDMOS仿真模型
在ADS主界面中点击DesignKit按钮,如图4-3。

图4-3 点击DesignKit按钮
在弹出的Install ADS Design Kit对话框中点击“Unzip Design Kit Now”按钮,并在新的对话框中点击Browse按钮,选择刚刚下载得到zip后缀的文件,如图4-4。
图4-4 选择Design Kit
选择完成后回到Install ADS Design Kit对话框,我们可以看到如图4-5所示的结果。
图4-5 已解压的DesignKit
此时点击OK,即可将MRF8S26060H的模型添加至ADS的库中。用同样的方法处理RF_POWER_ADS2011_DK.zip,最后点击DesignKitList Design Kits,即可显示出已安装的仿真模型,如图4-6。
图4-6 List ADS Design Kits
4.2.3 创建仿真工程
在ADS主界面中点击“Create A New Project”图标,开始创建仿真工程,如图4-7。
图4-7 创建仿真工程
在弹出的对话框中点击Browse找到希望保存的目录,在本设计中,选择了D:’Projects\AMP_10W\ADS\目录。在Name栏中文件夹路径后输入MRF8S26060_Sim_prj,ADS就完成了名为MRF8S26060_Sim_prj的仿真工程,如图4-8。此时,ADS会自动弹出一个原理图绘制窗口。
图4-8 输入项目名称
4.2.4 LDMOS直流仿真
将4.2.3中弹出的原理图另存为DC-Sim.dsn,在器件库中选择Freescale MRF8S26060H Level2 Rev1 Model,如图4-9所示。
图4-9 选择Freescale元器件库
这时依此点击出现的两个图标,便可以将MRF8S26060H的仿真模型及所涉及到的库文件放置在原理图中,如图4-10。
图4-10 在原理图中添加MRF8S26060H
分别选择Simulation-DC与Probe_Components控制板,添加电流表,PARAMETER SWEEP,DC,DisplayTemplate等控件,并按照如图4-11的方式连接完成,就得到了直流仿真的原理图。
图4-11 直流仿真原理图
这时可点击Simulate图标,可以得到如图4-12所示的直流仿真结果。可以看到m1处Vds=28V,Vgs=2.7V,Ids=0.422A,这与MRF8S26060H Datasheet中所描述的基本一致。
图4-12 直流仿真结果
4.2.5 LDMOS负载牵引仿真
负载牵引仿真是极其重要的环节。此处会花费较多篇幅进行讲解,在本站的一篇文章中总结了ADS负载牵引仿真中经常遇到的问题及解决办法,具体可查看http://www.beamsky.com/loadpull-design-key-points-ads/
所谓负载牵引仿真,就是在放大器后面连接一个可变负载,当负载在一定范围内变化时,测量不同负载对应的不同的输出功率及PAE,负载牵引仿真的目的就是找到获得预期输出功率及PAE时对应的负载值。
4.2.5.1 使用Loadpull仿真模板
在MRF8S26060_Sim_pr新建一页原理图,点击DesignGuideLoadpull,如图4-13所示。

图4-13 点击DesignGuide Loadpull
在弹出的对话框中选择One Tone Loadpull Simulation,即“单音负载牵引仿真”如图4-14所示。
图4-14 选择One Tone Loadpull Simulation
点击OK,原理图中会出现ADS中已经设置好的仿真模板,如图4-15所示。
图4-15 加载负载牵引仿真模板
4,2,5,2 Loadpull仿真过程
将4.2.5.1原理图中的默认FET换成MRF8S26060H,并将FSL_MRF8S26060H_TECH_INCLUDE添加至原理图;将VAR控件中的RFfreq设置为2437MHz,Vhigh即Vds设置为28V,Vlow设置为2.7V,如图4-16所示。
图4-16 设置仿真条件
这时点击Simulate按钮,ADS便开始仿真过程,稍等片刻,便可以得到如图4-17所示的仿真结果(仿真结果的模板也是预先设置好的)。可以看到,最大的PAE(附加功率效率)仅为1.09%,最大功率也仅为21.54dBm,增益仅为11.54dB,与理想值差距比较大。
图4-17 第一次负载牵引仿真结果
将Pavs更改为30dBm,再次仿真,得到如图4-18所示的仿真结果。可以看到,此时最大PAE已经大幅提升至27.26%,最大功率提升为42.21dBm,增益没有发生太大变化。其实这个结果是很容易理解的,当输入至LDMOS的功率较小时,LDMOS自身的静态功耗比例较大,所以PAE极低;随着输入功率的提升,LDMOS消耗的功率极其输出功率都在上升,但输出功率上升的更快,LDMOS自身的静态功耗比例减少,所以PAE大幅提升。
图4-17 第二次负载仿真结果
虽然在第二次仿真后,PAE已大幅提升,但增益仍达不到要求,这就需要设置SweepEquations中的参数,即调整S11的原点及半径,调整仿真的范围。
值得注意的是,调整仿真范围非常容易出现仿真结果不收敛的情况,这个时候读者就需要按照http://www.beamsky.com/loadpull-design-key-points-ads/文中提到的方法。由于文章篇幅的关系,我无法在本文中给出全部的实验过程,只能给出最终的仿真结果。在最终的仿真参数设定中,SweepEquations中的s11_rho设置为0.2,S11_center=-0.75+j*0,pts=500,同时将pavs设置为33dBm,如图4-18所示。

图4-18 最终的仿真参数设定
再次仿真,得到如图4-19所示的结果。可以看到,在m3点处,可以获得45.04dBm的输出功率并且对应的PAE为41.46%,很不错。
图4-19 第三次负载牵引仿真结果
这时,可以看到当前的负载为13.16-j4.014,输入阻抗为2.31+j12.98。
4.2.6 LDMOS匹配电路设计与仿真
有了4.2.5中结论,我们就需要为LDMOS构造出13.16-j4.014的负载,当然也可以得知这时LDMOS的输出阻抗为13.16+j4.014。
不过,就在这时,本产品的设计工作发生了戏剧性的转变——Freescale发来了MRF8S26060H的参考设计,由于产品开发时间的限制,能用上Freescale的参考设计无疑是件很好的事情。虽然Freescale发来的参考设计是DXF格式,但是也为设计工作提供了巨大的帮助,参考设计如图4-20所示。

图4-20 MRF8S26060参考设计
从结构上看,这是一款Doherty结构的功放,但是每颗LDMOS又可以分别测试,也许这是为了方便客户评估,但这些不是本设计关心的重点,在本文中仅关心LDMOS的匹配电路。显而易见的是,LDMOS的偏置电路及Vds均是采用四分之一波长走线的方式,并通过微带线方式完成匹配。
为了最大限度地缩短产品开发周期,我们测量出MRF8S26060H相关的微带线尺寸,并在ADS中创建新的负载牵引原理图,如图4-21所示。此处配图可能不够清晰,但后续无线时代会推出PDF高清版,将会配备矢量图,读者可以看清全部细节。

图4-21 新的负载牵引原理图
这里有以下两点需要注意:
Freescale参考设计用于2500-2700MHz,需要改变四分之一波长线的长度;
需要将所用PCB板材即Rogers RO4003C各项参数准确填写于MSub模型中,如图4-22。

图4-22 将RO4003C各项参数填写于MSub模型
按照图4-21中的原理图,重新进行负载牵引仿真,可以得到如图4-23所示的仿真结果,可以看到m3处在50欧姆附近,可以获得46.23dBm的输出功率及55.3%的PAE,完全可以达到预期指标。
图4-23 新的负载牵引仿真结果
根据习惯,我们再进行一次S参数仿真,按照图4-24绘制新的仿真原理图,仿真后,可以得到如图4-25所示的仿真结果。可以看到,在2.4GHz Wi-Fi设备的频率范围内,这样的匹配已经达到了很高的指标,S11全部在-10dB以下,增益也高达20dB左右,完全可以满足本产品要求。
图4-24 S参数仿真原理图
图4-25 S参数仿真结果
需要指出的是,S11的曲线过于尖锐,这可能是未来较大的风险所在,一旦PCB制作有偏差,那么最终的指标可能会差得比较多,不过作为第一版,还是值得做些尝试。
4.2.7 制作LDMOS模块
4.2.6中的仿真结果已经完全满足要求,这时我们需要将4.2.6中的原理图封装成一个模块,以便后续的联合仿真。去除图4-24中的S-PARAMETERS控件,并将Term1,Term2更换为Port1,Port2,如图4-26所示。
图4-26 制作MRF8S26060H模块
为了保证LDMOS模块的准确性,我们使用ADS生成一下PCB,可以看到如图4-27的效果,可以看到,与MRF8S26060的参考设计非常一致,只是四分之一波长走线未做转弯处理。
图4-27 LDMOS PCB图
至此,我们已经完成LDMOS的全部仿真工作,在后续的联合仿真中,直接调用本节中只做的模块即可。
4.3 功分器设计与仿真
在4.2节中,我们已经得知单颗LDMOS可以达到46.23dBm的射频输出功率,这距离我们的目标值50dBm还有些差距,因此考虑使用两颗LDMOS做功率合成,这就需要设计一个合适的功分器
在MRF8S26060_Sim_prj工程下新建一份原理图,点击DesignGuideassive Circuit,如图4-28所示。

图4-28 使用DesignGuide中的Passive Circuit功能
在弹出的对话框中点击Component Palette – Microstrip图标,如图4-29所示。
图4-29 点击Component Palette – Microstrip图标
在更新的原理图设计窗口中点击Place Microstrip Wilkinson Divider按钮,将Wilkinson功分器符号添加至原理图中,如图4-30所示。添加完成后的原理图如图4-31所示。
图4-30 在原理图中添加Wilkinson功分器
图4-31 添加完成的Wilkinson功分器
这时双击Wilkinson功分器符号,更改其目标参数,如图4-32所示。
图4-32 更改Wilkinson功分器参数
这时我们还需要为原理图添加MSub模型,采用与4.2.6中所提到的模型一致即可。相信此时读者能体会到我把PCB板材的选择作为仿真最开始的内容进行讲述,因为所有的仿真都离不开PCB参数。添加MSub模型后的原理图如图4-33所示。
图4-33 添加MSub模型
这时回到Passive Circuit DesignGuide对话框中,点击Design Assistant标签,ADS就会自动为我们设计完成一款合格的功分器,在DA_WDCoupler1_untitled4上面点击Push Into Hierarchy之后,我们可以看到功分器的细节,如图4-34所示。
图4-34 功分器内部细节
而易见的是,这样的功分器尺寸太大,不方便在这个产品上使用。我们重新调整DA_WDCoupler1_untitled4的参数,如图4-35所示。
图4-35 调整Wilkinson功分器参数
再次点击Passive Circuit DesignGuide对话框中的Design Assistant标签,并在设计完成的功分器上点击Push Into Hierarchy之后,我们可以看到新的功分器内部结构,如图4-36所示。
图4-36 新的功分器内部结构
接下来对这个功分器进行S参数仿真,原理图如4-37所示。
图4-37 对功分器进行S参数仿真
仿真后的结果如图4-38所示,显然,这个功分器完全可以达到我们的要求。
图4-38 功分器仿真结果
最后,将这个功分器生成PCB Layout,我们可以看到如图4-39所示的结果。
图4-39 功分器生成PCB Layout
也许这个时候读者会有疑问,PCB设计使用的软件是Cadence Allegro,如何将这个功分器输入至Allegro呢?读者不必着急,在无线时代后续的章节中,后面会讲解到。
4.4 定向耦合器设计与仿真
经过4.3的详细讲解,我相信读者有能力自行完成定向耦合器的设计与仿真,两者的过程十分类似,因此不再赘述,这里只给出最终的仿真和设计结果。
图4-40 定向耦合器设计结果
图4-41 定向耦合器仿真结果
图4-42 定向耦合器PCB Layout
4.5 带通滤波器设计与仿真
与定向耦合器类似,本节只给出带通滤波器的仿真与设计结果。
图4-43 带通滤波器内部结构
图4-44 带通滤波器仿真结果
图4-45 带通滤波器PCB Layout
                       
                         射频电路设计 ADS, LDMOS, 功分器, 射频, 负载牵引
原文链接:http://www.beamsky.com/rdr-ads-simulation/
                       


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