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X5R和X7R的失效率比较

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发表于 2015-1-14 11:13:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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昨天和同事讨论使用MLCC电容X5R和X7R的时候,才发现失效率不像自己想象的那样。

首先X5R的最高温度大概是85C,而X7R可以达到125C。
两种电容的选型有:
1) 10uF/10V, X7R, 0805
2) 10uF/16V, X5R, 0805
工作电压为5V,产品工作最高温度为70C。

在70C的情况下,我以为X7R更好一点,毕竟温度范围更广。可是,最后发现X5R更好,失效率是X7R的1/4.
X5R的失效率为3.77 FIT
X7R的失效率为14.48 FIT

从MIL-HDBK-217F (10.10章节)的公式中看出,工作电压/电容的额定电压比值比温度差值更重要。

对了,使用西门子的软件也是显示X5R的失效率底,不过大概是X7R的1/2。


MLCC_MTBF_Calculate.zip

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MIL-HDBK-217F_MLCC.pdf

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  发表于 2015-1-14 03:35 PM
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发表于 2015-1-14 11:38:53 | 只看该作者
原创好贴!!!
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发表于 2015-1-14 15:36:16 | 只看该作者
电容选型时经常会忽略材质,有些电容材质也很重要,NPO X7R 还是X5R有时候是得好好考虑一下。

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 楼主| 发表于 2015-1-14 18:11:31 | 只看该作者
有时因为价钱的原因,只好一点点的省。
NPO/COG的确不错,就是容量太小。

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发表于 2015-1-14 22:55:54 | 只看该作者
失效率也是跟温度相关的,,X7R是工业级标准,用到工业级温度下失效率肯定比X5R低。

其实跟厂家交流,很多X7R也是他们评估X5R的器件是否满足X7温度而直接升级的。

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赞同,温度参数重要。 一直慎用x5r,没想到的是,在我们的这个产品中(温度要求-40~70C),选择x5r(更高的电压)更好一点。  详情 回复 发表于 2015-2-17 09:37 AM
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这就是实战经验!  发表于 2015-1-15 09:01 AM

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发表于 2015-1-14 22:57:53 | 只看该作者
NPO电容基本是nf级别以下,,X7R很多容值都没有,比如0201封装的100nF 及以上就没有。

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发表于 2015-2-16 17:09:24 | 只看该作者
一直以为X5R没有X7R的好!看来还是要看使用环境,学习了!

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是啊。 都是血和泪的经验啊。 做硬件7年了,每个新的设计都能学到东西。 电阻用错过,结果造成ACDC电源的noise过大,conducted emission差点没过。 磁珠也是,不容易学,最终还是测试找出最佳型号(公司有自己  详情 回复 发表于 2015-2-17 10:17 AM

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 楼主| 发表于 2015-2-17 09:37:10 | 只看该作者
jason12345 发表于 2015-1-14 22:55
失效率也是跟温度相关的,,X7R是工业级标准,用到工业级温度下失效率肯定比X5R低。

其实跟厂家交流,很 ...

赞同,温度参数重要。
一直慎用x5r,没想到的是,在我们的这个产品中(温度要求-40~70C),选择x5r(更高的电压)更好一点。

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 楼主| 发表于 2015-2-17 10:17:41 | 只看该作者
Star 发表于 2015-2-16 17:09
一直以为X5R没有X7R的好!看来还是要看使用环境,学习了!

是啊。
都是血和泪的经验啊。
做硬件7年了,每个新的设计都能学到东西。

电阻用错过,结果造成ACDC电源的noise过大,conducted emission差点没过。
磁珠也是,不容易学,最终还是测试找出最佳型号(公司有自己的EMC测试实验室,这点非常好。例如有个板子有140MHz的noise,通过DC电缆传输出去了,我本以为300R的磁珠比较好,结果,60R的更好。那个曲线学了很多,感觉理论和实践总是有点脱钩。例如确保noise不在磁珠的inductive区域段,额定电流最好是电路电流的4~5倍,不然filter效果差,Z曲线就不用讲了)。
MOV,就更不用说了,20cm的621系列,用在3相4线电中,8KV的雷击测试就是过不去(就差那么一点点),前面还不能加电阻,因为需要电缆通信。这个还在研究中,等新的板子回来继续测试。
TVS么,这个,说多了也是泪。因为本身有电容,加上电线的寄生电感,上电下电的时候会overshoot 电压,久而久之,TVS死掉。算算,TVS死掉好几个了,如何解决这个问题,其实就是加入ESR适当的电容,我比较喜欢加入电解电容,电容值要远高于MLC。
至于电容,比上面的问题更多,能写一片长的文章。总结经验就是,ESR要适中,太低问题也多(刚买了一个FILCO键盘,里面USB的接口处用的是MLCC的电容,明显的设计失误啊。每次上电这个电容和USB的寄生电感会产生overshoot,久了会造成问题。可以串0.xOHM的电阻去damp这个ringing。也可以加入16倍于MLCC的低内阻polymer电容。而这个ESR,是USB数据线的寄生电感+板子上输入端MLCC的数值决定的)。

总的来说,电容不容易学。一直从错误中学习。

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你对电子元件的应用和理解都比较深入!说实话,我自己对这些电子元件的应用都是停留在表面上,真是望尘莫及啊!!我在用电容时,也只是大小电容结合,从来没有根据电容的特性去分析用多大、多少电容合适,TVS、压敏  详情 回复 发表于 2015-2-17 11:28 AM
给力!!!: 5
写得都是经验之谈!!!  发表于 2015-2-17 10:47 AM

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发表于 2015-2-17 10:47:44 | 只看该作者
silentsnow 发表于 2015-2-17 02:17
是啊。
都是血和泪的经验啊。
做硬件7年了,每个新的设计都能学到东西。

写得都是经验之谈!!!
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