IBM已打造出全球首顆2nm晶片。IBM
IBM宣布打造出世上首顆2nm製程晶片。IBM表示,其2nm晶片在相同能耗下效能較7nm晶片提高45%。在相同效能下能省電75%,能在指甲大小(150平方毫米)的晶片上容納500億個電晶體。
根據Anandtech及Tom’s Hardware報導,IBM雖未明確聲明,但影像顯示其2nm處理器正在使用3層閘極全環(Gate-All-Around;GAA)設計。
IBM的3層GAA使用的單元高度為75nm,單元寬度為40nm,單個奈米片的高度為5nm,彼此間隔5nm。柵極多晶矽節距為44nm,柵極長度為12nm。
IBM表示,其是首個使用底部介電隔離通道的設計,可消除堆疊中第一塊奈米片的漏電流,實現12nm的柵極長度;而其內部間隔物為第二代乾法設計,有助於實現奈米片的開發。IBM還在前段製程(FEOL)首次使用極紫外光(EUV)顯影,以在關鍵層設計的所有階段啟用EUV。
IBM表示,其在晶片的每個關鍵層都使用單曝光EUV,從而降低複雜性並提高良率。這項技術可創建從15nm到70nm的奈米片寬度,讓晶圓廠在基於各種設計目標的元件庫(cell library)和SRAM中具有一定的靈活性。IBM還透露使用了ASML的Twinscan NXE:3400B EUV設備生產其2nm測試晶片。
IBM並無自家晶圓廠,於2014年以10年夥伴關係承諾將其晶圓廠賣給GlobalFoundries。IBM目前還與三星電子(Samsung Electronics)合作,最近還宣布與英特爾(Intel)建立夥伴關係。事實上,三星將在2021年利用與IBM共同開發的7nm製程生產IBM的Power10處理器。
三星和英特爾無疑將在IBM在生產2nm晶片上進行某種程度的合作。英特爾最近宣布將與IBM合作研發新製程節點和封裝技術,這意味著其未來的2nm晶片可能基於IBM的一些突破。
IBM表示,預計2024年下半其合作夥伴的晶圓廠就會開始生產2nm晶片。