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白光3D轮廓测量仪适配芯片制造生产线,助力半导体行业发展

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发表于 2022-12-21 17:27:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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近年来,面对持续高涨的芯片需求,半导体行业生产迎来了高难度挑战——对芯片工艺要求更精细,从5nm到3nm,甚至是2nm。“先进封装”的提出,是对技术的新要求,也是对封装工艺中材料和设备的全新考验。

芯片身上布控着几千万根晶体管,而晶体管越小,可放置的晶体管越多,性能也将越高。芯片的进化就是晶体管变小的过程。晶体管密度更大、占用空间更少、性能更高、功率更低,但挑战也越来越难以克服。小尺寸下,芯片物理瓶颈越来越难以克服。尤其在近几年,先进节点走向10nm、7nm、5nm......白光3D轮廓测量仪适配芯片制造生产线,致力于满足时下半导体封装中晶圆减薄厚度、晶圆粗糙度、激光切割后槽深槽宽的测量需求,助力半导体行业发展。

W1白光3D轮廓测量仪X/Y方向标准行程为140*100mm,满足晶圆表面大范围多区域的粗糙度自动化检测、镭射槽深宽尺寸、镀膜台阶高、弹坑等微纳米级别精度的测量。
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台阶高精确度:0.3%
台阶高重复性:0.08 % 1σ
纵向分辨率:0.1nm
RMS重复性:0.005nm
横向分辨率(0.5λ/NA):0.5um~3.7um
特点:粗糙度测量、弹坑测量、测量尺寸6英寸以下。
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W3白光3D轮廓测量仪X/Y方向标准行程为300*300mm,超大规格平面、兼容型12英寸真空吸附盘能检测12寸及以下尺寸的Wafer;气浮隔振设计&吸音材质隔离设计,确保仪器在千级车间能有效滤除地面和声波的振动干扰,稳定工作;自动化测量半导体晶圆。
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半导体领域专项功能
1.同步支持6、8、12英寸三种规格的晶圆片测量,一键即可实现三种规格的真空吸盘的自动切换以配适不同尺寸晶圆;
2.具备研磨供以后减薄片的粗糙度自动测量功能,一键可测量数十个小区域的粗糙度求取均值;
3.具备划片工艺中激光镭射开槽后的槽道深宽轮廓数据测量功能,可以一键实现槽道深宽相关的面和多条剖面线的数据测量与分析;
4.具备晶圆制造工艺中镀膜台阶高度的测量,覆盖从1nm~1mm的测量范围,实现高精度测量。

图片4.jpg
W3白光3D轮廓测量仪测量12英寸硅晶圆

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