中国要做存储芯片！国产半导体能否破茧成蝶？

中国是全球最大的半导体市场，但尴尬的是中国并非最先进的半导体研发和制造国，做出一颗中国“芯”，是国内半导体、电子元器件从业人员最大的心愿。

经过几十年的积累，中国的集成电路产业（IC）已经达到一定的规模，不管是资金还是技术，都有足够的“底气”。所以中国开始下定决心要做国产的存储芯片：并以其作为IDM模式的突破口。这是电子元器件产业发展的趋势，同时也是国人多年的夙愿。

国产存储芯片三大势力集结

吹响“进攻”的号角

国产存储芯片（IC）目前有三大势力在集结：一是前不久刚刚宣布投资240亿美元，并和中科院微电子所合作的武汉新芯，传闻武汉新芯已经掌握了9层3D NAND样品；还有一个是刚以230亿美元收购美光科技的清华紫光，它打算以收购兼并后再自行研发的方式进军储存芯片；最后一个是福建和合肥这两个地方政府，其中福建政府已经在找到了在泉州投资的晋华集成电路，准备研发32纳米制程的利基型DRAM。

三大势力一起做国产储存芯片，实在“百家争鸣，百花齐放”，然而（IC）芯片的研发涉及太多太多的因素、资金、技术、人才等，任何一个细微的问题，都会影响到最终的研发成果。此外，以中国现有的国力，能否应付多条储存器生产线/电子元器件还不得而知。

比如，3D NAND的生产线，每1000片就需要近80万美元，月产能达到20万片的生产线，则需要160亿美元；这里面还不包括三年一次的技术升级投资。想要在半导体制造业收到投资回报，没有十年以上的时间是根本不可能，然而绝大数的电子元器件投资人都缺乏这个耐心。

最理想的方式就是通过强强联手，尽量弥补技术的不足，再加上国家的鼎力支持。近期新芯和紫光的合作，正好印证这一点。但是从他们的合作方案来看，有可能会重现“华亚科”事件（缺乏自主能力的一方会受到钳制）。

国产存储芯片面对的困难不是一点两点

想要做出3D NAND闪存芯片，就必须克服两大难关：技术关和IP及价格战。从技术层面来说，不管是32层还是48层（IC），都必须做出来且性能成本不能有太悬殊的差距；而IP及价格战则是在中国市场上都无法避免的（芯易网注）。

3D NAND技术基本上都是采用一体成形制造法，即使用光罩及刻蚀每一层NAND薄膜，直到第八层（共需要27张光罩），这种方法使用最广，其中最著名的产品就是东芝Bit Cost scalable(BiCS)TFT SONOS。

目前全球市场上最先进的3D NAND工艺水平是20-40纳米，除了64层的60：1及70：1腐蚀，其他电子元器件技术均被国外厂商所掌握，紫光和新芯想要突围，128层是必须突破的瓶颈，只有这样才能缩小和对手间的差距，为中国芯挣得一点希望。

至于IP战、人才流失和技术控制，都是未来中国企业都无法避免的，再加上（IC）价格战，中国的企业在财务方面也将面对沉重的考验。